采用立             1.真空腔室：采用立式、U形、前開門結構，前開門結構方便取、放樣品及真空腔室日常維護。

                         2.蒸發源：配6組蒸發源（金屬蒸發源2組，有機蒸發源4組），也可根據具體需求組合配置；

                         3.真空系統：采用“分子泵+機械泵”真空系統；高真空插板閥；

                         4.真空測量：“兩低一高”（兩只電阻規測量低真空，一只電離規測量高真空） 數顯復合真空計，測量范圍從1×10⁵Pa到1×10^-5Pa；

                         5.基片臺：抽屜式結構，承載較大120×120mm，加熱溫度300±1℃，轉速0～20r/min連續可調；載物臺采用硬鋁，并配有簧片夾具，基片置于蒸發源正上方，根據基片尺寸設計工裝，方便固定樣品，配有基片臺擋板。

                         6.膜厚儀：膜厚儀水冷探頭安裝在基片架上基片臺附近。膜厚儀用以實時監測鍍膜速率和終厚，精度可達±0.1A（0.01nm）,具備與電源聯鎖功能,工作時,若鍍膜達到設置厚度,可自動切斷電源,停止鍍膜；

 7.控制系統：整套控制系統采用PLC+觸摸屏控制，有自動及手動兩種功能，可在觸摸屏上輸入參數以便進行鍍膜工藝參數的摸索等；